‘天博体育网’从制程工艺看麒麟650的芯片级省电

 公司动态     |      2021-06-19 07:44
本文摘要:自2014年市场爆炸以来,千元机的普及度下降到了今天,竞争形势越来越激烈。多次在高端机器上没有看到的各种功能都被冲到了劳动改造上,成为了很多消费者的购买选择。但是在各种高端功能普及的同时,我们也看到,无论他们的名字多么花哨,营销多么光明,目前千元机的竞争主要还是参数设备的竞争,同质化程度极高,但是很少提到与用户个人体验相关的功耗痉挛。 前不久荣耀宣布新千元机可以玩5C,主要卖点是16nmFF工艺的麒麟650,号称把省电带到芯片级别,把千元机还给芯片工艺。

天博体育网

自2014年市场爆炸以来,千元机的普及度下降到了今天,竞争形势越来越激烈。多次在高端机器上没有看到的各种功能都被冲到了劳动改造上,成为了很多消费者的购买选择。但是在各种高端功能普及的同时,我们也看到,无论他们的名字多么花哨,营销多么光明,目前千元机的竞争主要还是参数设备的竞争,同质化程度极高,但是很少提到与用户个人体验相关的功耗痉挛。

前不久荣耀宣布新千元机可以玩5C,主要卖点是16nmFF工艺的麒麟650,号称把省电带到芯片级别,把千元机还给芯片工艺。现在,我们想想荣耀是不是在玩神马套路。一般来说,我们从纳米工艺的角度来评价一个处理器。

除了核心数和主频架构之外,最不引人注目的是工艺技术,因为一个成品处理器是一个由不同材料制成的多层电路,包括晶体管、电阻和电容等微小元件,它们之间的距离就是工艺技术。毕竟小处理器内部规模特别大,搭建的元器件很多,肉眼很难看到,所以取决于工艺距离的单元采用了新型的纳米。(好像真的很复杂的话,可以看看这一节的最后一句。

)nano代表十亿分之一米。如果解读以上信息,很难得出结论:处理器的处理技术越先进(纳米数越小),同一区域内构建的晶体管数量越少,元件之间的间距越小。构造的晶体管越多,就越能直观地识别它们的性能。

增加组件间距有什么影响?简单来说,当组件之间的距离增加时,晶体管之间的电容不会减小,从而增加它们的电源频率。而且因为晶体管在转换电信号时的动态功耗与电容成正比,所以功耗也可以上升很多。此外,这些较小的晶体管只能在较低的导通电压下工作,因此根据动态功耗与电压平方成反比的规律,此时能效不会得到有效提高。

当然,先进的设备技术也使更多的芯片可以从同一个晶片上切割下来,这促进了单个芯片成本的降低,并平衡了廉价生产设备的投资成本。但近年来,随着摩尔定律的过程趋近于无穷大,这方面的红利已经花光了。

综上所述,16nm芯片可以增加功耗,降低电压,提高手机效率,但不会增加芯片本身的生产成本。目前主流的芯片工艺主要是SoC中的28nm、20nm、16nm、14nm,这在市场上很少见。根据不同的生产工艺,每个工艺有许多版本。

例如,28纳米工艺有四个版本:线性规划、HPM、高性能计算和高性能计算。熟悉的Snapdragon 615使用的是第一个LP进程,消耗大量的电量;Snapdragon 801和HelioX10采用低k金属围栏技术,增加渗漏和痉挛;第三个高性能计算过程用于更少的SoC。目前只听说麒麟930用过。

当SoC增加十分之一时,可以降低三分之一的功耗;与HPC相比,HPC是28nm的最后一个版本,在相同性能下可以减少一半的泄漏,在相同功耗下可以提高五分之一的性能。目前千元机中比较少见的HelioP10就是采用这种工艺。20nm工艺使用的芯片主要是Snapdragon 810/616和HelioX20/X25,不突出,感觉更像是过渡工艺。

它们几乎无法抑制Cortex-A57核心的痉挛,很快被16/14nm取代。16纳米和14纳米是目前最先进设备的工艺技术,分别是TSMC和三星(Intel也是14纳米)的代表技术。虽然后者在字面意义上领先2nm,但实际显示几乎一样。

举例来说,即使一开始,TSMC的16纳米也比三星的14纳米略好 原因是,TSMC的16纳米是第二代FinFETPlus工艺,而三星当时是A9的第一代14纳米LPE工艺。直到今年才在Exynos8890和小龙820上使用了第二代14nmLPP工艺,挽回面子。


本文关键词:‘,天博,体育,网,’,从,制程,工艺,看,天博体育官网,麒麟,650

本文来源:天博体育网-www.lyricsofalegacy.com